紫外吸收光譜UV

分析原理(lǐ)：吸收紫外光能量，引起分子中電(diàn)子能級的躍遷

譜圖的表示方法：相對吸收光能量随吸收光波長的變化

提供的信息：吸收峰的位置、強度和(hé)形狀，提供分子中不同電(diàn)子結構的信息

熒光光譜法 FS

分析原理(lǐ)：被電(diàn)磁輻射激發後，從最低(dī)單線激發态回到單線基态，發射熒光

譜圖的表示方法：發射的熒光能量随光波長的變化

提供的信息：熒光效率和(hé)壽命，提供分子中不同電(diàn)子結構的信息

紅外吸收光譜法 IR

分析原理(lǐ)：吸收紅外光能量，引起具有(yǒu)偶極矩變化的分子的振動、轉動能級躍遷

譜圖的表示方法：相對透射光能量随透射光頻率變化

提供的信息：峰的位置、強度和(hé)形狀，提供功能團或化學鍵的特征振動頻率

拉曼光譜法 Ram

分析原理(lǐ)：吸收光能後，引起具有(yǒu)極化率變化的分子振動，産生(shēng)拉曼散射

譜圖的表示方法：散射光能量随拉曼位移的變化

提供的信息：峰的位置、強度和(hé)形狀，提供功能團或化學鍵的特征振動頻率

核磁共振波譜法 NMR

分析原理(lǐ)：在外磁場(chǎng)中，具有(yǒu)核磁矩的原子核，吸收射頻能量，産生(shēng)核自旋能級的躍遷

譜圖的表示方法：吸收光能量随化學位移的變化

提供的信息：峰的化學位移、強度、裂分數(shù)和(hé)偶合常數(shù)，提供核的數(shù)目、所處化學環境和(hé)幾何構型的信息

電(diàn)子順磁共振波譜法ESR

分析原理(lǐ)：在外磁場(chǎng)中，分子中未成對電(diàn)子吸收射頻能量，産生(shēng)電(diàn)子自旋能級躍遷

譜圖的表示方法：吸收光能量或微分能量随磁場(chǎng)強度變化

提供的信息：譜線位置、強度、裂分數(shù)目和(hé)超精細分裂常數(shù)，提供未成對電(diàn)子密度、分子鍵特性及幾何構型信息

質譜分析法 MS

分析原理(lǐ)：分子在真空(kōng)中被電(diàn)子轟擊，形成離子，通(tōng)過電(diàn)磁場(chǎng)按不同m/e分離

譜圖的表示方法：以棒圖形式表示離子的相對峰度随m/e的變化

提供的信息：分子離子及碎片離子的質量數(shù)及其相對峰度，提供分子量，元素組成及結構的信息

氣相色譜法 GC

分析原理(lǐ)：樣品中各組分在流動相和(hé)固定相之間(jiān)，由于分配系數(shù)不同而分離

譜圖的表示方法：柱後流出物濃度随保留值的變化

提供的信息：峰的保留值與組分熱力學參數(shù)有(yǒu)關，是定性依據;峰面積與組分含量有(yǒu)關

反氣相色譜法 IGC

分析原理(lǐ)：探針分子保留值的變化取決于它和(hé)作(zuò)為(wèi)固定相的聚合物樣品之間(jiān)的相互作(zuò)用力

譜圖的表示方法：探針分子比保留體(tǐ)積的對數(shù)值随柱溫倒數(shù)的變化曲線

提供的信息：探針分子保留值與溫度的關系提供聚合物的熱力學參數(shù)

裂解氣相色譜法 PGC

分析原理(lǐ)：高(gāo)分子材料在一定條件下瞬間(jiān)裂解，可(kě)獲得(de)具有(yǒu)一定特征的碎片

譜圖的表示方法：柱後流出物濃度随保留值的變化

提供的信息：譜圖的指紋性或特征碎片峰，表征聚合物的化學結構和(hé)幾何構型

凝膠色譜法 GPC

分析原理(lǐ)：樣品通(tōng)過凝膠柱時(shí)，按分子的流體(tǐ)力學體(tǐ)積不同進行(xíng)分離，大(dà)分子先流出

譜圖的表示方法：柱後流出物濃度随保留值的變化

提供的信息：高(gāo)聚物的平均分子量及其分布

熱重法 TG

分析原理(lǐ)：在控溫環境中，樣品重量随溫度或時(shí)間(jiān)變化

譜圖的表示方法：樣品的重量分數(shù)随溫度或時(shí)間(jiān)的變化曲線

提供的信息：曲線陡降處為(wèi)樣品失重區(qū)，平台區(qū)為(wèi)樣品的熱穩定區(qū)

熱差分析 DTA

分析原理(lǐ)：樣品與參比物處于同一控溫環境中，由于二者導熱系數(shù)不同産生(shēng)溫差，記錄溫度随環境溫度或時(shí)間(jiān)的變化

譜圖的表示方法：溫差随環境溫度或時(shí)間(jiān)的變化曲線

提供的信息：提供聚合物熱轉變溫度及各種熱效應的信息

示差掃描量熱分析DSC

分析原理(lǐ)：樣品與參比物處于同一控溫環境中，記錄維持溫差為(wèi)零時(shí)，所需能量随環境溫度或時(shí)間(jiān)的變化

譜圖的表示方法：熱量或其變化率随環境溫度或時(shí)間(jiān)的變化曲線

提供的信息：提供聚合物熱轉變溫度及各種熱效應的信息

靜态熱―力分析 TMA

分析原理(lǐ)：樣品在恒力作(zuò)用下産生(shēng)的形變随溫度或時(shí)間(jiān)變化

譜圖的表示方法：樣品形變值随溫度或時(shí)間(jiān)變化曲線

提供的信息：熱轉變溫度和(hé)力學狀态

動态熱―力分析 DMA

分析原理(lǐ)：樣品在周期性變化的外力作(zuò)用下産生(shēng)的形變随溫度的變化

譜圖的表示方法：模量或tgδ随溫度變化曲線

提供的信息：熱轉變溫度模量和(hé)tgδ

透射電(diàn)子顯微術(shù) TEM

分析原理(lǐ)：高(gāo)能電(diàn)子束穿透試樣時(shí)發生(shēng)散射、吸收、幹涉和(hé)衍射，使得(de)在相平面形成襯度，顯示出圖象

譜圖的表示方法：質厚襯度象、明(míng)場(chǎng)衍襯象、暗場(chǎng)衍襯象、晶格條紋象、和(hé)分子象

提供的信息：晶體(tǐ)形貌、分子量分布、微孔尺寸分布、多(duō)相結構和(hé)晶格與缺陷等

掃描電(diàn)子顯微術(shù) SEM

分析原理(lǐ)：用電(diàn)子技(jì)術(shù)檢測高(gāo)能電(diàn)子束與樣品作(zuò)用時(shí)産生(shēng)二次電(diàn)子、背散射電(diàn)子、吸收電(diàn)子、X射線等并放大(dà)成象

譜圖的表示方法：背散射象、二次電(diàn)子象、吸收電(diàn)流象、元素的線分布和(hé)面分布等

提供的信息：斷口形貌、表面顯微結構、薄膜內(nèi)部的顯微結構、微區(qū)元素分析與定量元素分析等

原子吸收 AAS

原理(lǐ)：通(tōng)過原子化器(qì)将待測試樣原子化，待測原子吸收待測元素空(kōng)心陰極燈的光，從而使用檢測器(qì)檢測到的能量變低(dī)，從而得(de)到吸光度。吸光度與待測元素的濃度成正比。

電(diàn)感耦合高(gāo)頻等離子體(tǐ) ICP

原理(lǐ)：利用氩等離子體(tǐ)産生(shēng)的高(gāo)溫使用試樣完全分解形成激發态的原子和(hé)離子，由于激發态的原子和(hé)離子不穩定，外層電(diàn)子會(huì)從激發态向低(dī)的能級躍遷，因此發射出特征的譜線。通(tōng)過光栅等分光後，利用檢測器(qì)檢測特定波長的強度，光的強度與待測元素濃度成正比。

X射線衍射XRD

X射線是原子內(nèi)層電(diàn)子在高(gāo)速運動電(diàn)子的轟擊下躍遷而産生(shēng)的光輻射，主要有(yǒu)連續X射線和(hé)特征X射線兩種。晶體(tǐ)可(kě)被用作(zuò)X光的光栅，這些(xiē)很(hěn)大(dà)數(shù)目的原子或離子/分子所産生(shēng)的相幹散射将會(huì)發生(shēng)光的幹涉作(zuò)用，從而影(yǐng)響散射的X射線的強度增強或減弱。由于大(dà)量原子散射波的疊加，互相幹涉而産生(shēng)最大(dà)強度的光束稱為(wèi)X射線的衍射線。

滿足衍射條件，可(kě)應用布拉格公式：2dsinθ=λ

應用已知波長的X射線來(lái)測量θ角，從而計(jì)算(suàn)出晶面間(jiān)距d，這是用于X射線結構分析;另一個(gè)是應用已知d的晶體(tǐ)來(lái)測量θ角，從而計(jì)算(suàn)出特征X射線的波長，進而可(kě)在已有(yǒu)資料查出試樣中所含的元素。